技术编号：36263399
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及cmos集成电路领域，尤其涉及一种具有工艺电压温度补偿能力的纳安级电流源及设计方法。背景技术.随着便携式电子设备普及，以及物联网技术的飞速发展，功耗问题成为日益突出的问题。在cmos集成电路设计领域，为实现低功耗电路模块设计，将电路中mos管偏置于亚阈值工作状态是降低功耗的有效方法，当mos管处于亚阈值状态时，其栅源电压小于阈值电压，沟道电流一般处于na量级，此时电路器件仍具有放大特性，能够正常工作。.亚阈值工作状态下的mos管并不稳定，当栅源电压减小使沟道电流处于pa量级时，...
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