技术编号:36282415
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体设备技术领域,具体涉及一种进气喷嘴及干法化学蚀刻设备。背景技术.半导体干法化学刻蚀技术是一种新型刻蚀技术,可广泛应用于先进制程的逻辑、存储器的各项同性刻蚀,部分取代先进制程的清洗工艺。常规干法刻蚀技术,需要依赖等离子体进行刻蚀,刻蚀选择比通常小于,而半导体干法化学刻蚀技术可在无等离子氛围下实现更高刻蚀选择比,干法化学刻蚀选择比通常大于。.现有的干法化学刻蚀设备中关于节流盘的设计,不足以将腔体内部的中心的气流和边缘的气流做到均衡,会使得腔体内的工艺气体呈现中心气体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。