技术编号：36316948
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管的外延结构及其制备方法。背景技术.现有的氮化镓基led器件，为了使其p型gan层与金属电极之间获得良好的接触、降低接触势垒形成的肖特基电压，要求p型gan层拥有非常高的载流子的浓度，为实现这一目的，往往会在p型gan层中掺杂高浓度的mg，但由于mg的激活能高，mg受主电离困难，载流子浓度的提升十分困难，且随着mg掺杂浓度的升高，mg受主还会与h原子形成mg-h键，同时晶体质量也会下降，进一步影响了p型gan层中载流子浓度的提升，造成p型gan...
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