技术编号:36331651
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明关于一种一边将晶片等基板按压于研磨垫的研磨面,一边研磨该基板的研磨方法及研磨装置,特别是关于一边基于膜厚测定器的测定值来调整研磨负重,一边研磨基板的研磨方法及研磨装置。背景技术.cmp(化学机械研磨(chemical mechanical polishing))装置在半导体组件的制造中,使用于研磨晶片等的基板表面的工序的研磨装置。cmp装置由研磨头保持基板并使基板旋转,进一步在旋转的研磨台上的研磨垫上按压基板来研磨基板的表面。在研磨中,在研磨垫上供给研磨液(浆液),基板表面通过研磨液...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。