技术编号:36339155
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。topcon电池隧穿氧化层制备方法技术领域.本发明涉及一种topcon电池的制备方法,特别是一种topcon电池隧穿氧化层的制备方法。背景技术.关于太阳能高效电池技术——隧穿氧化层钝化接触(tunnel oxide passivated-contact,topcon),旨在改善硅电池背面的钝化。主要以n型硅片为基础,在硅片背面生长了一层超薄氧化硅,然后再沉积一层磷掺杂的多晶硅层,二者共同形成钝化接触结构,为电池背面提供良好的界面钝化,从而为制备全背面金属电极奠定基础。该技术最主要的优点是利用...
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