技术编号：36377315
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术.为了进一步降低mosfet的损耗，mosfet的器件结构正从平面型向沟槽型(具有沟槽栅极结构的mosfet)转变。然而，具有沟槽栅极结构的碳化硅mosfet具有至少两个缺点。)一个缺点是低沟道迁移率，虽然沟槽面具有比硅面更高的沟道迁移率，但是它远低于硅器件的沟道迁移率，因此，为了降低导通电阻，有必要增加封装密度和加宽沟道宽度；)另一个缺点是施加到沟槽栅极的电场很强，为了缓和施加在栅氧化层上的电场，需要设置一个结型场...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。