技术编号:36383951
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体及氧化物靶材技术领域,具体涉及一种高致密氧化铟掺杂铈钛钽靶材的制备方法。背景技术.透明导电氧化物薄膜(transparent conductive oxide)因其具有金属般良好的导电性能、玻璃般的高透光性、红外区高反射率以及其他优良的半导体特性被广泛应用于显示器、太阳能电池、发光二极管、触摸屏、气体传感器,以及微电子、真空电子器件等领域。红外透明导电薄膜在军事以及民用领域都具有重要的应用价值。对于民用领域,可以应用于电子和能源工业、传感技术、光电技术等领域,例如作为红外透...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。