技术编号:36388557
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及晶体生长技术领域,具体为一种六边形柱状氧化镓导模生长的籽晶及其使用方法。背景技术.半导体材料在现代信息工业化社会中发挥着不可替代的作用,是现代半导体工业及微电子工业的基石。随着各种先进技术的不断发展,对高耐压、大功率、抗辐射等高性能电子器件以及深紫外光电子器件需求越来越迫切,尤其是在高耐压及深紫外领域,传统的半导体材料已难以满足使用要求。第三代半导体材料,如碳化硅sic、氮化镓gan和氧化锌zno等,具有宽禁带、高热导率、高击穿场强度、高饱和电子漂移速度等优点,使其在光电器件、功...
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