技术编号:36421831
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置.本申请要求于年月日在韩国知识产权局(kipo)提交的第--号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。技术领域.示例实施例涉及半导体装置。更具体地,示例实施例涉及具有隔离图案的半导体装置。背景技术.隔离层可被形成在基底上以限定有源区域,并且晶体管可被形成在有源区域上。由于半导体装置具有高集成度,因此在隔离层的背对侧处的邻近有源区域之间的电绝缘特性可被劣化。发明内容.示例实施例提供具有增强的特性的半导体装置。.根...
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