技术编号：36422364
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及涉及一种多区域气体通道系统，及使用多区域气体通道系统的反应离子刻蚀设备。背景技术.在利用反应离子刻蚀机刻蚀半导体晶圆时，腔体内晶圆表面反应气体分布的均匀与否，会影响等离子体分布的均匀性，从而会影响刻蚀速率的均匀性，通常，气体密度较大的区域，刻蚀速率较快。.现有的一般设计，反应气体从腔体的上部进入，由上而下，降落至晶圆表面。气体的入口通常为一个点，或者一个环状圈，或者为多个不同孔径的空洞。.当入气口为中心点时，气体密度在晶圆中心较大，而向晶圆边逐渐减小。.当入气口为一个环状圈...
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