技术编号：36426447
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种半导体晶片抛光材料及其制备方法。背景技术.化学机械抛光(cmp)是半导体行业的重要技术，在半导体晶片的制造过程中多次使用，是半导体晶片表面加工的关键技术，因此，抛光垫的质量和性能至关重要。在各个cmp过程中，抛光垫与抛光液一起以刨平的方式除去多余的材料以保持其平整度，因此要求抛光垫的材料具有足够的机械强度、耐介质(耐水解、耐高温油)性和耐久性，以保证抛光效果。.现有抛光垫多为由多异氰酸酯与扩链剂、固化剂反应得到的聚氨酯材料，其中，扩链剂是关键助...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。