技术编号：36428859
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种沟槽栅碳化硅mosfet器件及其制备方法技术领域.本发明涉及功率半导体器件，特别是沟槽栅碳化硅 mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件及其制备方法。背景技术.碳化硅是第三代功率半导体材料，相对于传统的硅材料，具有临界电场高，载流子饱和速度快，散热能力强等优势，更适合于高性能功率mosfet器件的制造。沟槽栅碳化硅mosfet可以消除平面栅结构中存在的jfet效应，实现更高的沟道密度，从而可以降低器件的比导通电阻，在相同芯片面积下，具有更高的过电流能力。.但是沟槽型碳化硅mos...
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