技术编号：36462542
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及光伏器件技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。背景技术.光伏发电是非常具备替代传统化石能源潜力的清洁能源。近年来市场对太阳能电池提出更多的要求，各类高效太阳能电池应运而生，制备工艺多种多样。.在传统技术方案中，采用pevcd(等离子体增强化学气相沉积)的方式形成隧穿氧化层和掺杂非晶硅层，再进行高温退火，使非晶硅层转化为多晶硅层，掺杂非晶硅层多使用两层掺杂膜层组合结构，即轻掺杂非晶硅层和重掺杂非晶硅层的结构，实现多晶硅层内部的杂质梯度，但是掺杂非晶硅层需要较长的退火时间...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。