技术编号:36474597
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法技术领域.本发明属于半导体加工设备技术领域,尤其是涉及一种用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法。背景技术.在目前的半导体集成电路芯片制造流程中,化学机械平坦化(cmp)是其中一项重要的工艺步骤。化学机械平坦工艺采用抛光垫和抛光液对晶圆研磨,通过化学腐蚀与机械研磨相结合的方式,实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化。化学腐蚀是利用位于抛光垫沟槽中的抛光液与晶圆接触进行腐蚀,而机械研磨的过程则是依靠具有粗糙表面的抛光垫来实现的。.随着大量的晶圆进行...
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