技术编号：36506031
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及人工晶体技术领域，尤其涉及一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法。背景技术.氧化镓晶体是一种直接带隙宽禁带半导体材料，禁带宽度约为.～.ev。它具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度快、热导率高、击穿场强高、化学性质稳定等诸多优点，在高温、高频、大功率电力电子器件领域有着广泛的应用前景。此外还可用于led芯片、日盲紫外探测、各种传感器元件及摄像元件等。.目前，批量制备大尺寸氧化镓晶体主要采用导模法技术。现有导模法生长氧化镓晶体的生长装置如图所示，其包括坩埚和内嵌于所...
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