技术编号：36526277
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有阶梯结构的三维存储器件及其形成方法背景技术.本公开涉及存储器件以及用于形成存储器件的方法，更具体而言，涉及三维(d)存储器件以及用于形成d存储器件的方法。.通过改善工艺技术、电路设计、程序算法和制造工艺使得诸如存储器单元的平面半导体器件缩小到更小的尺寸。然而，随着半导体器件的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得更加困难并且成本更加高昂。d半导体器件架构能够解决一些平面半导体器件(例如，闪速存储器件)中的密度限制。发明内容.在一个方面中，一种d存储器件包括交替的导电层和电介质...
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