技术编号：36542584
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及集成电路生产制造技术领域，特别是涉及硅片热处理承载件。背景技术.光刻的套刻精度是衡量光刻工艺的关键参数之一，它是指硅片上下两层图形之间的偏移量，套刻精度的好坏将直接影响最终产品的性能。其中影响套刻精度的因素包括快速热处理工艺。.目前快速热处理工艺是将硅片设置于热处理装置内的反应腔中，当热处理装置处于工作状态时，反应腔内的温度高且升温快，在反应腔中承载硅片的承接件为中空环状结构，承载件边缘与硅片边缘的接触为面接触，二者的热传递量大，导致硅片边缘温度与硅片中心温度相差较大，从而使得...
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