技术编号:36548329
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体晶体制备领域,具体涉及一种高温场均匀性的碳化硅晶体退火设备,可用于制备第三代半导体sic晶体。背景技术.相比于第一代半导体(si)和第二代半导体(gaas、gap、inp),第三代半导体sic具有更宽的电子能隙、更高的导热率、更大的电子饱和漂移速率等特性,适合制作高频大功率微波器件,其在光电子和微电子领域具有重要的广泛的应用市场。物理气相输运(physical vapor transport,pvt)法是生长商用sic晶体的主流方法。pvt法生长sic晶体大致分为分解、...
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