技术编号:36613125
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本说明书涉及晶体制备领域,特别涉及一种液相晶体生长装置和液相晶体制备方法。背景技术、在使用液相法制备晶体(例如,碳化硅晶体)的过程中,由于液态原料(例如,熔融碳化硅液体)的在晶体生长过程中的消耗、挥发及其对坩埚内壁的刻蚀,会导致液态原料的液面高度逐渐下移,进而使得液面与籽晶生长界面(籽晶与液态原料的液面所接触的一面)之间的弯月面高度不断变化,可能诱导二维自发成核,不利于碳化硅单晶的制备;同时,高温的液态原料的液面并非平面,而是类似沸腾的状态,导致籽晶生长界面与液面接触时难以完全贴合,其之间存在...
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