技术编号:36641658
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种电阻式随机存取存储器(rram)结构及其制作方法。背景技术、电阻式随机存取存储器(rram)是一种利用材料的电阻特性变化来存储数据的非易失性存储装置。例如,一个rram单元可以包括设置于顶部电极和底部电极之间的可变电阻层。保护层可以与rram单元相邻以保护rram单元在制造过程(例如蚀刻过程)期间免受损坏。、然而,现有的制造rram的方法与逻辑后段制作工艺的相容性低。此外,为了形成保护层,通常需要采用三道光掩模才能制作,导致生产成本较高。技术实现思路、本发明的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。