技术编号：36646400
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及属于光电子器件设计的，具体地，涉及一种基于铌酸锂的非对称端面耦合器及其制备方法。背景技术、铌酸锂材料具有较高的电光系数、压电系数、热光系数、声光系数和光弹性系数，被广泛应用于各类集成光子器件中。传统的铌酸锂器件通常基于体铌酸锂材料，通过钛扩散或质子交换工艺对单晶铌酸锂材料进行局部掺杂，略微提高掺杂区域的折射率，从而形成波导结构。为提高芯层与包层的折射率差，一些技术中提供了绝缘体上铌酸锂技术，将亚微米厚度的单晶铌酸锂薄膜键合在硅基二氧化硅层上构成新型材料体系，其波导和芯层折射率差最大可...
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