技术编号：36730969
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，具体涉及外延生长方法和p型硅外延结构。背景技术、随着硅半导体器件和集成电路的高度发展，先进制程中对于器件的高集成度、储存单元的漏电流等诸多方面的要求也越来越高，外延生长工艺(epi)应运而生。、轻掺硅外延硅层/重掺衬底的材料结构作为现代电力电子器件、光电探测器件等的功能材料，利用外延硅层的生长方式可以有效改善原始硅单晶衬底的晶体质量，但工艺难度体现在外延生长过程始终受到外延系统、衬底等背景因素自掺杂的严重影响，过渡层结构占比较大，而且界面处的缺陷(defect)严重，严重影...
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