技术编号:36733497
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于单晶制备,尤其是涉及一种单晶炉双制冷系统及单晶拉制方法。背景技术、目前单晶的主流生长方式有两种,分别是区熔法和直拉法,不管是哪一种生长方式,整个单晶硅生长过程中的温度要求是十分严格的,固体多晶硅融化成硅熔液需要系统加温,炉内工作温度一般在℃-℃左右。熔化后多晶硅熔液需凝固生长成单晶硅,单晶硅温度-℃。为保证单晶在高温环境下生长平衡及更少热应力,并保证更高的单晶的生长效率,因此要在单晶炉内增加制冷系统,一方面带走晶体附件多余热量,另一方面保证单晶表面快速散...
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