技术编号：36749631
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本技术涉及半导体器件领域，特别涉及一种薄势垒层gan基hemt器件。背景技术、gan半导体材料具有一系列的优良特性，如禁带宽度宽、击穿电场高、耐高电压、高的饱和电子速度、耐高温以及抗辐照特性好等，因此gan材料是制备高频、高温、大功率和抗辐照电子元件的最佳材料。由于algan和gan之间存在自发极化和压电极化，gan一侧会产生大量高迁移率的二维电子气(deg)。algan/gan基hemt器件的工作原理是栅漏之间的主要导电通道由二维电子气提供，通过algan势垒层上的肖特基栅施加偏压来改变耗...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。