技术编号:36771193
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本技术涉及辊道炉的,具体而言,涉及一种带实时监控硅片烧结温度的传感装置的辊道炉。背景技术、topcon电池背面采用纳米氧化硅/重掺杂多晶硅/(氧化铝,可省)/氮化硅,最后在上面印上银浆,经过高温烧结后,银浆中的玻璃体和铅穿透氮化硅膜,使得银原子在烧结的高温下在多晶硅薄膜区析出,在随后的高温阶段及降温,并在多晶硅上形成银颗粒。由于银原子在高温条件下,会不断析出,并通过熟化效应不断聚集,形成银颗粒;如果银颗粒生长过量,尺寸过大,就会导致其穿透多晶硅及纳米氧化硅层,从而破坏topcon结构的钝化效果...
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