技术编号:36795865
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体衬底领域,特别是一种复合衬底及一种半导体器件。背景技术、目前,由于缺少高质量、大尺寸的商用氮化镓衬底,氮化镓基器件一般是通过异质外延的方法生长于蓝宝石、sic或硅等衬底上。硅衬底作为一种重要的氮化镓异质外延衬底具有晶体质量高,晶圆尺寸大,热导率高(约是蓝宝石的倍),价格低,衬底电导率可以通过掺杂控制等优点,因而越来越受到产业界的关注。在硅衬底上异质外延生长gan薄膜时,主要存在两个技术难点:一个是氮化镓外延膜和硅衬底之间存在较大的晶格失配(.%)使得外延膜中存在大量的穿...
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