技术编号:36808827
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体,具体涉及一种叠层平面布局功率模块结构和功率器件。背景技术、sic功率器件具有更高的开关频率、更低的功率损耗、更高的耐受结温、能有效的提升电力电子装备的变换频率和功率密度,在新能源发电系统、电动汽车以及电力传动领域具有不可替代的作用。同时,sic mosfet在关断过程中没有拖尾电流,可有效降低开关损耗并提高开关速度。为了适应sic功率器件的优异性能,急需低感、低热阻和高可靠性的先进封装技术。双面散热封装具有平面化的封装结构、多通道的散热路径和更平衡的应力分布,是sic功率...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。