技术编号:36817358
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,特别涉及一种半导体结构及其制造方法。背景技术、随着半导体器件的发展,半导体器件的集成化程度提高,需要在有源区上集成多种类型的晶体管区域,例如互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,cmos)的p型金氧半场效晶体管(positive channel metal oxidesemiconductor,pmos)和n型金氧半场效晶体管(negative channel metal oxidesemiconductor,n...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。