技术编号：36848414
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本技术涉及多晶硅生产，特别是涉及一种多晶硅还原炉及高压启动系统。背景技术、随着多晶硅生产规模的逐步扩大，目前对于生产多晶硅需要有高压和持续供电的条件，目前的生产多晶硅的过程为：采用电源自启动打压使硅芯击穿，进而得到符合要求的硅芯。但是这种方式在特定的打压阶段的电压难以继续升高，并且会持续降低，此时为了达到符合击穿硅芯要求的高电压，会无限延长还原炉在高电压下工作的时间，当还原炉在高电压下工作的时间过长会导致还原炉被损坏。、鉴于上述现有技术，寻求如何实现在特定的打压阶段的电压继续升高，缩小还原炉...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。