技术编号：36895547
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及复合电极制备，具体为一种磷化镍与掺硼金刚石复合薄膜电极的制备方法。背景技术、硼掺杂金刚石(bdd)是一种具有集诸多优异特性的新型导电非金属电极材料，具有优异的稳定性和较大的电势窗口。但bdd相对较低的能量密度和较差的活性位点阻碍了bdd在超级电容器(scs)中的应用。、磷化镍(nixpy)具有优异的导电性、良好的氧化还原活性和较高的化学稳定性，具有优异的电催化析氢及电化学储能性能。但是，磷化镍作为电极材料仍有它们的不足之处：()磷化镍充放电时体积膨胀过大，导致容量衰减过快；()...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。