技术编号：36921251
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作工艺领域，尤其是涉及一种形成较佳品质的外延层的方法。背景技术、外延技术是半导体制作工艺中常使用的技术，目前的技术中经常使用外延层来取代掺杂区以作为晶体管的源/漏极区域，外延层可以提供应力并且提升晶体管的载流子迁移率(mobility)，也就是说可以进一步提高半导体元件的效能。、虽然外延层具有提升载流子迁移率的优点，但是同时在一些情况下形成外延层也会产生相应的缺点。举例来说，若外延层由硅锗(sige)组成，当硅锗外延层内部锗原子的浓度较高时，锗原子较容易产生迁移与团聚现象，...
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