技术编号：3692512
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高纯度地含有以及含有该高纯度地含有I型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的薄膜的形成方法。背景技术 相对于陶瓷等无机类铁电材料(铁电材料強誘電材料，ferroelectricmaterial)，聚合物型的铁电材料具有柔韧性好、重量轻、加工性优异、价格低等优点。作为代表性的聚合物型铁电材料，已知有聚偏二氟乙烯(PVdF)、偏二氟乙烯/三氟乙烯(VdF/TrFE)共聚物等偏二氟乙烯类聚合物。但是，PVdF大体上分为三种结晶结构I型(也称为β型)、II型(α型...
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