技术编号:36928880
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体制造,特别是涉及一种半导体叠层结构的制造方法及半导体结构。背景技术、随着半导体制造领域的发展,对于芯片制造工艺有了更高的要求。在工艺制造过程中,根据实际需要制造各种具有特殊结构的芯片,目前有一种特殊芯片结构,由两层金属层交叉堆叠而成。、在该特殊芯片的制造工艺中,沉积两层金属层,形成叠层结构,除了预设的交叉堆叠的金属层结构,其它各处金属层,两层金属处于同一平面,导致在进行第二金属结构执行刻蚀工艺时,容易造成第一层金属损伤,为避免第一层金属损伤,需要精准控制第二层金属的刻蚀操作,...
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