技术编号：36972604
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造，尤其涉及一种igbt器件的形成方法及igbt器件。背景技术、绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor，igbt）是在金属氧化物场效应晶体管和双极晶体管基础上发展起来的一种新型复合功率器件。igbt器件同时具有双极结型功率晶体管和功率mosfet的主要优点：输入阻抗高、输入驱动功率小、导通电阻小、电流容量大、开关速度快等，使得igbt成为电力电子系统能量控制和转换的重要开关元器件之一，它的性能好坏直接影响着电力电子系统的转换效率、...
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