技术编号:37018268
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,尤其涉及一种sgt-mosfet的制作方法。背景技术、目前,在半导体器件技术中,屏蔽栅沟槽型场效应管(shielded-gate trenchmosfet,sgt-mosfet)与传统沟槽型mosfet相比,在pn结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽,将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布,在采用同样掺杂浓度的外延材料规格情况下,器件可以获得更高的击穿电压。同时,由隔离氧化层(ipo)分隔的屏蔽栅结构的引入,可以极大降低mosfet的米勒电容,有助于降低期间的开关损耗。、现有...
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