技术编号:37053605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体器件领域,特别是沟槽栅极半导体器件和这种器件的基本单元及其制造方法。具体地,本发明涉及一种半导体沟槽器件及其制造方法。背景技术、功率半导体开关器件,例如金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor,mosfet)或绝缘栅双极晶体管(insulated-gate-bipolar-transistor,igbt),是集成了大量基本单元的集成器件。它们的栅极电极可以在半导体表面上实现为平面结构(例...
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