技术编号:37074847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种碳化硅外延及其生长缺陷控制方法。背景技术、碳化硅是一种优良的半导体材料,具有硬度高、热稳定性好、化学惰性强和耐高压等特点。近年来,随着sic功率器件和射频器件等领域的迅速发展,碳化硅外延技术得到了广泛的关注和研究。但是,由于碳化硅的晶体结构比较复杂,易产生各种缺陷,例如位错、孪晶、氧杂质、空位等,严重影响了碳化硅晶体材料的电学、光学和热学性能。因此,如何有效地控制碳化硅外延缺陷,是目前碳化硅材料研究的热点和难点之一。技术实现思路、本发明的主要目的在于提供一种碳化...
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