技术编号:37088340
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体器件、半导体模块和无线通信装置。背景技术、近年来,使用氮化物半导体的高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor:hemt)的研究开发得到积极地推进。与si、gaas等相比,氮化物半导体具有更宽的带隙和六边形晶体特有的极化。因此,期望使用氮化物半导体的hemt作为允许高速操作的低电阻高电压晶体管。、具体地,期望将hemt应用于功率器件或rf(射频)器件。例如,在用于卫星通信或无线通信的基站中,使用algan作为阻挡层的hemt已被投入实...
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