技术编号:37118364
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。背景技术、半导体结构(例如,动态随机存取存储器)通常包括器件区和对位区,在半导体结构的制造过程中,通常会利用对位区中的对准标记进行对准控制,实现在器件区中形成的器件结构之间的对准。、在对准过程中,一般以光束侦测对准标记,光束在对准标记处发生衍射,衍射光成像在对准标记检测系统的图形传感器上,然后对图形传感器上接收的图像进行处理,实现对对准标记的识别。、然而,在检测对准信号时,通常会存在衍射光的强度不高,识别对准标记的准确度较差的问...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。