技术编号：37151600
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体器件的，具体涉及一种半导体衬底及其制备方法、半导体器件。背景技术、目前，绝缘体上硅(silicon-on-insulator，简称soi)因为具有良好的射频性能(如更好的隔离性，更低的衬底耦合，更低的寄生电容，没有闩锁效应等)，成为射频开关以及低噪声放大器的首选。但是在数字逻辑器件的应用中，相较于体硅没有明显的优势。、相关技术中，半导体衬底多是单独的绝缘体上硅衬底或者体硅衬底，分别适用于射频器件和数字逻辑器件。体硅和绝缘体上硅不能混合，难以同时适配射频器件和数字逻辑器件。技术...
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