技术编号:37161089
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种屏蔽栅(sgt)功率器件;本发明还涉及一种屏蔽栅功率器件的制造方法。背景技术、如图所示,是现有屏蔽栅功率器件的结构示意图;以n型屏蔽栅功率mosfet为例,现有屏蔽栅功率器件的导通区由多个原胞周期性排列组成,各所述原胞的栅极结构包括:、沟槽,形成于具有n型掺杂的第一外延层中,所述第一外延层形成于半导体衬底表面。、图中,显示了半个所述原胞的剖面结构,在图的剖面上,另一半所述原胞的剖面结构沿沟槽的中心位置左右对...
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