技术编号:37172196
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体,尤其涉及一种半导体测试器件、半导体晶片以及迁移率测试方法。背景技术、半导体器件(mosfet)的元胞尺寸微缩以及迁移率提升,是进一步减小器件的导通电阻的简单方法。、现有的半导体器件,因为源漏极分别位于器件上下两侧,其垂直结构的特点导致其在电流路径上会有很多寄生电阻,如接触电阻、n型重掺杂层电阻、漂移区层电阻、衬底电阻等,寄生电阻的引入,特别是漂移区电阻的存在导致真实的电流减小,因此,准确表征器件迁移率是一个难点。技术实现思路、本申请提供一种半导体测试器件、半导体晶片以及迁...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。