技术编号:37174761
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及电子封装材料,特别涉及一种表面改性纳米银粉、银膏、制备方法及应用。背景技术、第三代半导体材料,如氮化镓(gan)和碳化硅(sic),是继以硅(si)基半导体材料为代表的第一代半导体材料和以砷化镓(gaas)和锑化铟(insb)为代表的第二代半导体材料之后,在近些年发展起来的新型半导体材料,以其高的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率和高工作温度特性而闻名,更适合当前对高功率、高温、高能效以及轻便化的需求,已经在电源、射频通信、光电子学等领域展现出广泛的应用前景。而作为第三代半导体封装的...
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