技术编号:37176486
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本技术涉及半导体,特别涉及一种基于sic器件的封装结构。背景技术、sic(碳化硅)是一种由硅(si)和碳(c)构成的化合物半导体材料,不仅绝缘击穿场强是si的倍,带隙是si的倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型,所以被认为是一种超越si极限的功率器件用材料,随着sic技术的发展,其在功率器件的制作使用越来越广泛,而在对sic器件制作生产过程中,通常需辅助配备封装结构,以对sic芯片进行封装,例如现有专利技术所示:经检索,中国专利网公开了一种基于to-封装的sic...
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