技术编号:37179103
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于电力电子,具体涉及一种绝缘栅双极晶体管保护电路、模块和空调器。背景技术、绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)是一种三端半导体开关器件,可用于多种电子设备中的高效快速开关。在交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域应用广泛。在igbt的应用电路中,由于栅极浪涌或者其它感性器件的影响,会使igbt集电极上dv/dt变化耦合到栅极,导致igbt栅极电压升高,当其电压超过栅极阈值时会造成igbt的误开启,出现使用者意想不...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。