技术编号：37179945
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体制造，具体涉及一种半导体器件的互连层的制作方法及半导体器件。背景技术、半导体器件的后段制程中，主要是制作互连层，对一些电极进行连接，具体包括互连金属线的制作，以及采用等离子体刻蚀工艺在不同层的互连金属线之间制作连接孔。连接孔贯穿介质层并连接上下两层互连金属线。、但是在连接孔的形成过程中，等离子体中的电子可以通过互连金属线导通至器件（即内部的半导体电路层）上，对器件会形成等离子体诱发损伤 (plasma induced damage，pid)。、因此，现有技术有待改进。技术实...
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