技术编号:37183159
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及镀膜设备,尤其涉及一种电极引入装置及半导体工艺设备。背景技术、pecvd(plasma-enhanced chemical vapor deposition,等离子体增强化学气相沉积)是半导体制造工艺中常用的薄膜材料制备方法,用于沉积二氧化硅、氮化硅等半导体材料。在相关技术中,依靠电极引入装置将射频电源引入反应室内,位于反应室内的电极与承载舟导电接触,以完成镀膜。而电极与承载舟存在接合不佳的问题,造成电极与承载舟之间存在较大的间隙,在经过长时间的高温环境以及镀膜环境后,暴露在间隙处的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。