技术编号:37207886
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体器件领域,尤其涉及ⅲ-ⅴ族半导体光电探测器和光接收模块。背景技术、半导体光电探测器是光通信领域中的重要器件,用于将光信号转化为电信号。光电探测器的响应速度和量子效率相互制约。具体地,一般情况下,通过增加光电探测器的吸收层厚度可以增大光电探测器的量子效率,但会降低光电探测器的响应速度(也称带宽)。相反地,通过减薄吸收层厚度可以提高响应速度,但会降低光电探测器的量子效率。半导体光电探测器的材料主要包括ⅲ-ⅴ族和硅-锗si-ge两个体系。在si-ge体系中,可以在有源层上设置介质超表...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。