技术编号：37211141
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本说明书中实施方式涉及量子芯片制备领域，特别是涉及一种用于制备约瑟夫森结的掩膜结构及相关方法。背景技术、约瑟夫森结可以用于构建超导量子比特。通过在超导回路中嵌入约瑟夫森结，可以实现超导量子比特。约瑟夫森结通常包括两个超导电极和介于其中间的非超导绝缘层。、目前，通常利用掩膜结构，通过两次电子束斜蒸发的方式进行超导材料沉积，以制备约瑟夫森结。然而，制备得到的约瑟夫森结存在线宽不准确的问题。技术实现思路、有鉴于此，本说明书中多个实施方式致力于提供一种用于制备约瑟夫森结的掩膜结构及相关方法，以在一...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。