光刻胶的去除方法、半导体器件的形成方法及系统与流程技术资料下载

技术编号:37218107

提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及但不限于半导体,尤其涉及一种光刻胶的去除方法、半导体器件的形成方法及系统。背景技术、刻蚀是半导体制造工艺中的一种相当重要的步骤,它是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。光刻刻蚀是指先通过光刻将光刻胶进行曝光处理,然后通过其它方式去除光刻胶。然而,由于在刻蚀的过程中,会产生大量的副产物,这些副产物可能会导致光刻胶表面性质发生变化(例如,硬化、碳化等),那么使用现有的光刻胶去除工艺很难将光刻胶全部清除,容易造成光刻胶残留,从而影响半导体器件的性能和稳定性。技术实现思路、有鉴于此,本...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。

详细技术文档下载地址↓↓

提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
该分类下的技术专家--如需求助专家,请联系客服
  • 孙老师:1.机机器人技术 2.机器视觉 3.网络控制系统
  • 杨老师:物理电子学